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Características destacadas
- Los dispositivos LF353N son amplificadores operacionales de entrada JFET de doble canal de alta velocidad con un voltaje de offset de entrada ajustado internamente
- Voltaje de Offset Ajustado Internamente: 10 mV, Baja Corriente de Sesgo de Entrada: 50 pA, Tiempo de Establecimiento Rápido a 0.01%: 2 μs
- Bajo Voltaje de Ruido de Entrada: 25 nV/√Hz, Baja Corriente de Ruido de Entrada: 0.01 pA/√Hz
- Amplio Ancho de Banda de Ganancia: 4 MHz, Alta Tasa de Cambio: 13 V/μs, Baja Distorsión Armónica Total: ≤0.02%
- Baja Corriente de Suministro: 3.6 mA, Alta Impedancia de Entrada: 1012Ω, Bajo Ruido 1/f Esquina: 50 Hz
Descripción
Los dispositivos LF353N son amplificadores operacionales de entrada JFET de doble canal de alta velocidad con un voltaje de offset de entrada ajustado internamente. Requieren una baja corriente de suministro, pero mantienen un gran producto de ganancia y ancho de banda y una rápida tasa de cambio. Además, los dispositivos de entrada JFET de alta tensión bien emparejados proporcionan corrientes de sesgo de entrada y de offset muy bajas. El LF353-N es compatible con el pin del estándar LM1558, lo que permite a los diseñadores mejorar inmediatamente el rendimiento general de los diseños existentes de LM1558 y LM358. Estos amplificadores pueden ser utilizados en aplicaciones como integradores de alta velocidad, convertidores D/A rápidos, circuitos de muestreo y retención y muchos otros circuitos que requieren un bajo voltaje de offset de entrada, baja corriente de sesgo de entrada, alta impedancia de entrada, alta tasa de cambio y ancho de banda amplio. Los dispositivos también exhiben bajo ruido y deriva de voltaje de offset.
Especificaciones técnicas
- Fabricante
- ON Semiconductor
- Dimensiones del paquete
- 10.67 x 4.57 x 2.79 centímetros; 4.54 gramos
- Número de modelo del artículo
- LF353N
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