Los circuitos integrados analógicos modernos y a gran escala (ICs) están compuestos esencialmente por transistores de semiconductor de óxido metálico (MOS) y sus interconexiones. A medida que la tecnología se reduce a dimensiones de submicrón profundo y la tensión de alimentación disminuye para reducir el consumo de energía, estos complejos circuitos analógicos dependen aún más del comportamiento exacto de cada transistor. El diseño de circuitos analógicos de alto rendimiento requiere un modelo muy detallado del transistor, que describa con precisión sus comportamientos estáticos y dinámicos, sus limitaciones de ruido y coincidencia y sus variaciones de temperatura. El modelo de transistor MOS EKV (Enz-Krummenacher-Vittoz) basado en carga para el diseño de IC ha sido desarrollado para proporcionar una comprensión clara de las propiedades del dispositivo, sin el uso de ecuaciones complicadas. Todos los modelos estáticos, dinámicos, de ruido y no cuasi-estáticos están completamente descritos en términos de la carga de inversión en la fuente y en el drenaje aprovechando la simetría del dispositivo. Gracias a su estructura jerárquica, el modelo ofrece varios niveles de descripción coherentes, desde ecuaciones básicas de cálculo manual hasta un modelo de simulación por computadora completo. También es compacto, con un número mínimo de parámetros del dispositivo dependientes del proceso. Escrito por sus desarrolladores, este libro proporciona un tratamiento integral del modelo basado en carga EKV del transistor MOS para el diseño y simulación de circuitos integrados analógicos de bajo consumo y RF. Claramente dividido en tres partes, los autores examinan sistemáticamente: el modelo básico intrínseco basado en carga de canal largo, incluyendo todos los aspectos fundamentales del modelo EKV MOST como el modelo estático de gran señal, el modelo de ruido y una discusión sobre los efectos de temperatura y propiedades de coincidencia; el modelo basado en carga extendido, presentando información importante para entender el funcionamiento de dispositivos de submicrón profundo; el modelo de alta frecuencia, estableciendo un modelo completo de transistor MOS requerido para diseñar circuitos integrados CMOS RF. Los ingenieros en práctica y diseñadores de circuitos en la industria de dispositivos semiconductores y sistemas electrónicos encontrarán este libro una guía valiosa para el modelado de transistores MOS para circuitos integrados. También es una referencia útil para estudiantes avanzados en ingeniería eléctrica y de computación.