Operation and Modeling of the MOS Transistor (The Oxford Series in Electrical and Computer Engineering)

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Operation and Modeling of the MOS Transistor (The Oxford Series in Electrical and Computer Engineering)

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Características destacadas

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Dongho Lee

Esta reseña es para la tercera edición (ISBN 978-0-19-517015-3) de este libro. Todas las demás reseñas de otros antes de esta reseña son para la segunda edición (ISBN 0-19-517014-8). Sin embargo, todas las demás reseñas siguen siendo aplicables a la tercera edición. Como ya señalaron otros reseñadores, este es un gran libro de texto de ingeniería eléctrica/electrónica. La tercera edición ha sido revisada extensamente y tiene 700 páginas, mientras que la segunda edición tiene 600 páginas. No teng

Edwin A. Suominen

Un texto excepcional, completo y claramente escrito sobre el funcionamiento interno del dispositivo semiconductor más importante de todos los tiempos. Pude estudiar el libro durante unas semanas y desarrollar un modelo de simulación de MOSFET basado en ecuaciones físicas, y siento que realmente entendí lo que estaba haciendo. No es barato, pero lo encontré muy valioso para la inversión.

Maxwell Bach

Este libro cubre cada pequeño matiz sobre el transistor MOS, no he visto ningún otro libro tan completo como este que se enfoque únicamente en el transistor MOS, un curso sobre física de semiconductores es un requisito previo, recomiendo leer primero el libro de Sedra/Smith como introducción al tema. El libro está escrito desde una perspectiva física en lugar de una perspectiva de ingeniería, lo que significa que este no es el libro que quieres si estás buscando aplicaciones o circuitos útiles.

Tianyao Hua

Mi profesor, que también es el autor, dijo que el libro que compré está en buen estado.

hanfeng wang

Derivación matemática rigurosa con la ayuda de una explicación intuitiva profunda. El mejor libro de física de MOSFET.

Descripción

La Operación y Modelado del Transistor MOS se ha convertido en un estándar en la academia y la industria. Extensamente revisada y actualizada, la tercera edición de este texto altamente aclamado proporciona un tratamiento exhaustivo del transistor MOS, el elemento clave de los chips microelectrónicos modernos.