Arquitectura RISC Avanzada - 120 Instrucciones Poderosas - Mayor Ejecución de Ciclo de Reloj Único - 32 x 8 Registros de Trabajo de Propósito General - Operación Totalmente Estática Memorias de Programa y Datos No Volátiles - 2/4/8K Bytes de Memoria de Programa Programable en el Sistema Flash Resistencia: 10,000 Ciclos de Escritura/Borrado - 128/256/512 Bytes de EEPROM Programable en el Sistema Resistencia: 100,000 Ciclos de Escritura/Borrado - 128/256/512 Bytes de SRAM Interna - Bloqueo de Programación para Seguridad de Datos de Programa Flash y EEPROM Características Periféricas - Temporizador/Contador de 8 bits con Prescaler y Dos Canales PWM - Temporizador/Contador de Alta Velocidad de 8 bits con Prescaler Separado 2 Salidas PWM de Alta Frecuencia con Registros de Comparación de Salida Separados Generador de Tiempo Muerto Programable - USI - Interfaz Serial Universal con Detector de Condición de Inicio - ADC de 10 bits 4 Canales de Entrada Simple 2 Pares de Canales ADC Diferenciales con Ganancia Programable (1x, 20x) Medición de Temperatura - Temporizador de Vigilancia Programable con Oscilador en Chip Separado - Comparador Analógico en Chip Características Especiales del Microcontrolador - Sistema de Depuración en Chip debugWIRE - Programable en el Sistema a través del Puerto SPI - Fuentes de Interrupción Externas e Internas - Modos de Bajo Consumo de Energía en Reposo, Reducción de Ruido ADC y Apagado - Circuito de Reinicio Mejorado al Encender - Circuito de Detección de Caída de Tensión Programable - Oscilador Interno Calibrado I/O y Paquetes - Seis Líneas I/O Programables - PDIP de 8 pines, SOIC de 8 pines, QFN/MLF de 20 pads y TSSOP de 8 pines (solo ATtiny45/V) Voltaje de Operación - 1.8 - 5.5V para ATtiny25V/45V/85V - 2.7 - 5.5V para ATtiny25/45/85 Grado de Velocidad - ATtiny25V/45V/85V: 0 - 4 MHz @ 1.8 - 5.5V, 0 - 10 MHz @ 2.7 - 5.5V - ATtiny25/45/85: 0 - 10 MHz @ 2.7 - 5.5V, 0 - 20 MHz @ 4.5 - 5.5V Rango de Temperatura Industrial Bajo Consumo de Energía - Modo Activo: 1 MHz, 1.8V: 300 µA - Modo de Apagado: 0.1 µA a 1.8V