Probador de Transistores WALFRONT P1 Multifuncional 0.01-32V

Name: Probador de Transistores WALFRONT P1 Multifuncional 0.01-32V
Brand: Walfront
SKU: B0DV9ZH8QF
Price: 93387 ARS
Availability: InStock

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Probador de Transistores WALFRONT P1 Multifuncional 0.01-32V

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Características destacadas

[Rango de 0.01 a 32V] Adoptando un diseño de canal de medición independiente, especialmente diseñado para diodo zener, con un rango medible de 0.01 a 32V, alimentación antes de la medición.
[Eficiente y Conveniente] Soporta decodificación de señal infrarroja NRC para pruebas de control remoto fáciles. Sus características precisas, eficientes y convenientes brindan un fuerte apoyo a los usuarios.
[Placa de Prueba Reemplazable] Incorporando de manera innovadora funcionalidad de montaje de parche reemplazable para satisfacer fácilmente diversas necesidades de prueba, disfrutando de una conveniencia y eficiencia sin precedentes.
[Antiburning] Presenta un mecanismo de protección humanizado que descarga el capacitor no descargado al insertarlo para prevenir quemaduras, asegurando la seguridad durante el uso.
[Detección Eficiente] Simplemente conecte y sujete, identificación rápida de parámetros de componentes con un solo botón, ahorrando tiempo y esfuerzo.

Descripción

Especificaciones: Tipo de artículo: Probador de Transistores Material: ABS Modelo: P1 Pantalla: 1.44 pulgadas Capacidad de la batería: Batería de litio recargable 300mAH x 1 (incorporada) Especificaciones de carga: USB Tipo C, 5V 1A Tamaño: Aproximadamente 71 x 87 x 28mm (2.80 x 3.43 x 1.10 pulgadas) Rango de categoría Explicación Triodo 10 Factor de amplificación hfe, voltaje base emisor Ube, Ic/le, corriente de corte inverso colector emisor lceo, lces, caída de voltaje de diodo de protección Uf Diodo Caída de voltaje positiva Caída de voltaje directa, capacitancia de unión, corriente de fuga inversa Diodo Zener 0.01-4.5V (área de prueba 1-2-3) caída de voltaje directa, voltaje de ruptura inversa 0.01-32V Voltaje de ruptura inversa (área de prueba K-A-A) Transistor de Efecto de Campo JFET Corriente de drenaje ld bajo capacitancia de puerta Cg, Vgs, protección de la caída de voltaje directa Uf del diodo IGBT Corriente de drenaje ld bajo Vgs, protección de la caída de voltaje directa Uf del diodo MIOSTET Voltaje abierto Vt, capacitancia de puerta Cg, resistencia de drenaje fuente Rds, protección de la caída de voltaje directa Uf del diodo Tiristor Unidireccional Voltaje de encendido Voltaje de puerta Tiristor Bidireccional Corriente de disparo de puerta Capacitor 25pF-100mF Valor de capacitancia, coeficiente de pérdida Vloss, resistencia interna Resistor 0.01Ω-50MΩ Valor de resistencia Inductancia 10μH-1000μH Valor de inductancia, Resistor de DC Batería 0.1-4.5V Valor de voltaje, polaridad positiva y negativa Cómo usar: Consulte el manual de instrucciones para operar. Lista de paquetes: 1 x Probador de Transistores 1 x Placa de Prueba 1 x Cable de Datos 1 x Manual del Usuario 3 x Gancho de Prueba