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Características destacadas
- 1:Transistor MOS FET se adapta a la placa base de potencia
- 2: El transistor MOSFET IRFZ44NPBF cumple con los requisitos de las placas base de suministro de energía.
- 3:Corriente nominal: 49A; Tensión nominal: 55V; Potencia (máxima): 94W.
- 4:Características y ventajas: Larga vida útil, conmutación rápida, materiales duraderos.
- 5:Uso generalizado: Los transistores MOSFET IRFZ44NPBF IRFZ44N se utilizan ampliamente en varios componentes electrónicos.
- 6: El embalaje contiene 10 componentes, cuidadosamente sellados en una bolsa antiestática para proporcionar protección contra la electricidad estática, seguridad y una vida útil prolongada.
Descripción
Catálogo de productos: Transistor de Efecto de Campo (MOSFET) Tipo: N-canal Tensión de fuga de fuente (Vdss): 55V Corriente de drenaje continua (Id): 49A Potencia (Pd): 94W Resistencia en encendido (RDS (on) @ Vgs, Id): 17.5mΩ @ 10V, 25A Tensión de umbral (Vgs (th) @ Id): 4V@250uA Carga de puerta (Qg@Vgs): 63nC@10V Capacitor de entrada (Ciss@Vds): 1.47nF@25V Temperatura de trabajo -55°C~+175°C @ (Tj)
Especificaciones técnicas
- Fabricante
- CHINA
- Dimensiones del paquete
- 26.83 x 14.43 x 0.71 centímetros; 17.78 gramos
- Número de modelo del artículo
- IRFZ44NPBF
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