Angel Le

LOS PROBAMOS UNO POR UNO EN NUESTRO "TESTER MULTIFUNCIONAL - TC1" Y LOS 10 MOSFETS PASARON LAS PRUEBAS DANDO COMO RESULTADO QUE TODOS ESTABAN EN PERFECTAS CONDICIONES E INCLUSO COMPARAMOS SEGÚN LAS ESPECIFICACIONES DEL FABRICANTE Y DANDO EXACTAMENTE LOS MISMOS PARÁMETROS DE MEDICIÓN EN LA LECTURA DEL TESTER DIGITAL. ¡ESTAMOS CONTENTOS! Y ENVÍO RÁPIDO Y SEGURO TAMBIÉN EN BOLSA ELECTROSTÁTICA... LO RECOMENDAMOS 100% NUEVO.

Boquete Apartments

No compres. Si la resistencia SD de tu MOSFET P-channel importa en absoluto, es mejor que uses el producto original de TI. Medí la mitad de los que compré, y luego me rendí. Cada uno que medí tenía una caída de voltaje Source-Drain de más de 2.2 V a una corriente de Drain de 3.1A. Esto significa aproximadamente 700mOhm de resistencia SD y una potencia desperdiciada de 6.8W que tiene que ser enfriada para que no destruya el MOSFET. También compré algunos IRF4905 reales y medí 75mV @ 3.1A, es deci

S. A. ROBBINS

Buen FET de baja resistencia, pero no .02 ohmios. En pruebas repetidas, el RDSon fue de .06 ohmios. Eso es sustancialmente más alto que los .02 ohmios que se reclaman. Contaba con .02 ohmios para la aplicación de mi circuito.

Andrew Ferg

El paquete TO220 se sobrecalienta a 50W. Funciona bien para cargas más pequeñas.

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Se quema a una corriente nominal más baja (3 amperios) incluso usando disipador de calor y ventilador.