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20 Transistores MOSFET IRF3205 YFUSET 55V 110A TO-220

Name: 20 Transistores MOSFET IRF3205 YFUSET 55V 110A TO-220
Brand: Yfuset
SKU: B0DHDDX868
Price: 20825 ARS
Availability: InStock
Rating: 4.7 (4 reviews)

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20 Transistores MOSFET IRF3205 YFUSET 55V 110A TO-220

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Características destacadas

El producto se puede utilizar en las siguientes aplicaciones: dispositivos de conmutación de alta velocidad, dispositivos de suministro de energía, UPS, convertidores elevadores, inversores solares, controladores de velocidad, controladores de motores de circuito, cargadores de baterías, sistemas de gestión de baterías (BMS), etc.
El producto consume 200W de potencia, y el paquete TO-220 lo convierte en un dispositivo de mayor potencia.
El voltaje puerta-fuente es +/-20V, el voltaje de ruptura drenaje-fuente es 55V, y el voltaje de umbral de la puerta está entre 2 y 4V; La corriente de drenaje es 110A y el valor de la corriente de drenaje pulsada es 390A; La corriente de fuga drenaje-fuente es 25uA, y la corriente de fuga directa puerta-fuente es 100nA.
La resistencia en estado de encendido es extremadamente baja a 8.0mΩ.
La temperatura de unión (T J) del producto está entre -55 y 175°C.

Opiniones de compradores

4,7

4 opiniones

70%

30%

joel lantigua

Excelente producto y excelente servicio

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Parece original. Gran valor.

Descripción

Descripción del producto: El MOSFET de potencia IRF3205 se fabrica utilizando tecnología de proceso avanzada y tiene una resistencia en estado de encendido muy baja. IRF3205 es un MOSFET de canal N de alta corriente capaz de conmutar corrientes de hasta 110A y voltajes de hasta 55V. La especialidad de los MOSFET es que tienen una resistencia en estado de encendido muy baja de solo 8.0mΩ, lo que los hace adecuados para circuitos de conmutación como inversores, control de velocidad de motores, convertidores DC-DC, etc. Es importante tener en cuenta que el IRF3205 tiene un alto voltaje de umbral y, por lo tanto, no es adecuado para el control de encendido/apagado de controladores embebidos. Disponible en un paquete TO-220AB. Descripción del puerto: 1. Gate G controla el sesgo del transistor MOS. 2. La corriente del drenaje D fluye a través del drenaje. 3. La corriente de la fuente S fluye hacia afuera a través de la fuente. Parámetros del FET IRF3205: El voltaje de ruptura drenaje-fuente (V BR (DSS)) es 55V. El voltaje puerta-fuente (Vgs) es +/- 20V. El voltaje de umbral (Vg (th)) de la puerta es de 2 a 4 V. La corriente de drenaje (Id) es 110A. La corriente de drenaje pulsada (IMD) es 390A. La potencia consumida es (PD) de 200W. La resistencia en estado de encendido drenaje-fuente (R DS (ON)) es 8mΩ. La corriente de fuga (ISSS) del cuerpo de la puerta es 100nA. La carga total de la puerta (Qg) es 146nC. El tiempo de recuperación inversa (TRR) es de 69 a 104ns. La recuperación de diodo pico (dv/dt) es 5V/ns. El tiempo de subida (TR) es 101ns. La resistencia térmica de la costra (R th jc) es 75°C/W. La temperatura de unión (Tj) está entre -55 y 175°C.