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Transistor MOSFET Chanzon 2N7000 NMOS 60V 0.2A Paquete 100

Name: Transistor MOSFET Chanzon 2N7000 NMOS 60V 0.2A Paquete 100
Brand: Chanzon
SKU: B083TF4K6L
Price: 219585 ARS
Availability: InStock
Rating: 4.6 (723 reviews)

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Transistor MOSFET Chanzon 2N7000 NMOS 60V 0.2A Paquete 100

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Características destacadas

Tipo de Transistor: Transistor MOSFET de Potencia NMOS de Canal N de Alta Calidad.
Polaridad del Transistor: Canal N, Ideal para Aplicaciones de Conmutación de Potencia de Alto Rendimiento.
Especificación: VDSS hasta 60V, ID hasta 0.2A, PD de 0.4W a una Ta de 25 °C, con una baja RDS(on) de 5.3 Ω.
Aplicación: Uso versátil para amplificación y gestión de potencia en numerosos circuitos electrónicos, incluyendo fuentes de alimentación y controles de motor.
Paquete: Entregado en una bolsa Anti-Estática que proporciona una excelente protección electrostática, asegurando seguridad ESD y larga vida útil.

Opiniones de compradores

4,6

723 opiniones

82%

John Brockhurst

Funcionan genial, se ajustan a las placas de pruebas de Arduino.

Cesar Leos

Ken B.

Parece ajustarse a la necesidad.

Nicholas R Forystek

El medio no se pudo cargar. No necesitas ningún aditivo para que funcionen como interruptores táctiles, ¡simplemente toca el terminal central y el cuerpo humano tiene suficiente estática para activarlos!

Jayson Thompson

Gracias. Tal como se describió y un gran valor.

Descripción

Descripción del Producto: El MOSFET 2N7000 es un Transistor de Efecto de Campo de Modo de Mejora de Canal N, diseñado para una construcción de celda de alta densidad para proporcionar una baja resistencia en estado de encendido (RDS(on)). Es un interruptor de señal pequeña controlado por voltaje conocido por su robustez y fiabilidad, lo que lo hace ideal para una variedad de aplicaciones. Características Clave: Baja RDS(on) para una gestión de energía eficiente Alta capacidad de corriente de saturación Rendimiento fiable en varios circuitos electrónicos Máximas Calificaciones: Voltaje de Drenaje-Fuente (VDS): 60V Corriente Continua de Drenaje (ID): 0.2A Disipación de Potencia (PD): 0.625W Resistencia Térmica de Unión a Ambiente (RθJA): 200°C/W Temperatura de Unión (TJ): 150°C Características Eléctricas: Voltaje de Ruptura Drenaje-Fuente (V(BR)DSS): 60V Voltaje de Umbral de Puerta (V(GS)th): 0.8 - 3V Corriente de Drenaje a Voltaje de Puerta Cero (IDSS): 1μA Corriente de Drenaje en Estado de Encendido (ID(ON)) a VGS=4.5V, VDS=10V: 75mA Resistencia en Estado de Encendido Drenaje-Fuente (RDS(on)) a VGS=10V, ID=500mA: 5Ω Voltaje en Estado de Encendido Drenaje-Fuente (VDS(on)) a VGS=4.5V, ID=75mA: 0.45V Capacitancia de Entrada (Ciss): 60pF Capacitancia de Salida (Coss): 25pF Capacitancia de Transferencia Inversa (Crss) a VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz: 5pF Métricas de Rendimiento: Tiempo de Encendido (td(on)): 10ns Tiempo de Apagado (td(off)): 10ns (VDD=15V, RL=30Ω, ID=500mA, VGEN=10V, RG=25Ω) Este MOSFET es perfecto para usar como un interruptor de carga en dispositivos portátiles y convertidores DC/DC, asegurando un funcionamiento eficiente y fiable.