Transistor MOSFET NMOS CHANZON 8N80 800V 8A Paquete de 10
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Características destacadas
- Tipo de Transistor: Transistor de Efecto de Campo de Metal-Oxido de Canal N de Alta Potencia (NMOS MOSFET).
- Polaridad del Transistor: Canal N, No-Darlington, No-JFET, No-IGBT.
- Especificación: Maneja ID (Corriente de Drenaje) hasta 8A, VDSS (Voltaje Drenaje-Fuente) hasta 800V, y RDS(on) (Resistencia On Drenaje-Fuente) a 1.55 Ω.
- Aplicación: Ideal para electrónica de amplio espectro que requiere conmutación y amplificación de alta potencia como fuentes de alimentación y controles de motor.
- Paquete: Entregado en una bolsa antiestática para excelente protección electrostática, seguridad ESD duradera y vida útil prolongada.
Opiniones de compradores
715 opiniones
John Brockhurst
Funcionan genial, se ajustan a las placas de pruebas de Arduino.
Ken B.
Parece ajustarse a la necesidad.
Fred Bunn
Básicamente son indestructibles después de la adición de un diodo TVS 1.5KE200CA entre los pines de drenaje y fuente, y un diodo TVS 1.5KE12CA entre los pines de puerta y fuente. ¡No te olvides de la resistencia de puerta a drenaje! Después de la adición de los diodos TVS, estas cosas son prácticamente inmortales. Los puse en un controlador ZVS que hice, y adivina qué... ¡con 80v de entrada las barras de bus de cobre sólido de 1/4 de pulgada se pusieron al rojo vivo! El viejo disipador de CPU en
Nicholas R Forystek
El medio no se pudo cargar. No necesitas ningún aditivo para que estos funcionen como interruptores táctiles, ¡simplemente toca el terminal central y el cuerpo humano tiene suficiente estática para activarlos!
Emm Eff
Buen paquete. 65 ohmios de resistencia "encendida" según recuerdo de las pruebas. Intentaré acordarme de probar de nuevo y tratar de recordar informar aquí.B>)
Especificaciones técnicas
- Fabricante
- CHANZON
- Dimensiones del producto
- 18.00 x 15.00 x 1.30 centímetros; 32.00 gramos
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