Descripción del Producto: Este MOSFET de Potencia N-Canal de alto rendimiento está diseñado para aplicaciones que requieren alta eficiencia y conmutación rápida. Con su paquete estándar SO-8, asegura compatibilidad con técnicas de montaje en superficie existentes, lo que lo convierte en una opción ideal para una amplia gama de dispositivos electrónicos. Características Clave: - Compatibilidad de Pinout: estándar SO-8 para compatibilidad entre múltiples proveedores. - Cumplimiento Ambiental: Cumple con RoHS y libre de halógenos para operaciones respetuosas con el medio ambiente. - Fiabilidad: La calificación MSL1 asegura fiabilidad a nivel industrial. Características Eléctricas: - Voltaje de Ruptura Drenador-Fuente (V(BR)DSS): Hasta -30V. - Voltaje de Umbral de Puerta (VGS(th)): Varía de -1.0 a -2.04V. - Corriente de Drenaje Continua (@25°C, VGS @ -10V): Hasta 10A. - Resistencia On-Drenador-Fuente Estática (RDS(on) @ VGS = -10V): Máx 0.020Ω. - Transconductancia Directa (gfs): Típicamente 5.6S. - Capacitancia de Entrada (Ciss): Hasta 1700pF. - Tiempo de Retardo de Encendido (td(on)): Típicamente 18ns. - Tiempo de Subida (tr): Típicamente 49ns. - Tiempo de Caída (tf): Típicamente 60ns. Características del Diodo: - Voltaje Directo del Diodo de Cuerpo (VSD): Típicamente -1.0V. - Tiempo de Recuperación Inversa (trr): Varía de 56 a 85ns. Térmico y Fiabilidad: - Temperatura de Unión de Operación: -55°C a +150°C. - Resistencia Térmica (RθJA): Máx 50°C/W. Este MOSFET es adecuado para electrónica de potencia, controladores de motor y aplicaciones de conmutación donde el alto rendimiento y la fiabilidad son primordiales.