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Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design

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Descripción

Una cobertura completa y de última generación del diseño y fabricación de IGBT. Recurso todo en uno. Explica los fundamentos de la física MOS y bipolar. Cubre la operación de IGBT, diseño de dispositivos y procesos, módulos de potencia y nuevas estructuras de IGBT.

Características destacadas

Modelo de esta publicación

  • Formato: Tapa dura

Especificaciones técnicas

  • Formato: Tapa dura
  • Idioma: Inglés
  • Isbn 10: 0471238457
  • Isbn 13: 978-0471238454
  • Edición: 1ra
  • Editorial: Wiley-IEEE Press
  • Fecha de publicación: 19 de agosto de 2003
  • Longitud de impresión: 648 páginas
  • Peso: 1.04 kg
  • Dimensiones: Ancho: 3.25 cm, Alto: 3.51 cm, Profundidad: 16 cm

Detalles del producto

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