Ver más productos marca Bridgold

10 MOSFET IRF640N Bridgold 18A 200V TO-220 Alta Eficiencia

10 MOSFET IRF640N Bridgold 18A 200V TO-220 Alta Eficiencia 10 MOSFET IRF640N Bridgold 18A 200V TO-220 Alta Eficiencia 10 MOSFET IRF640N Bridgold 18A 200V TO-220 Alta Eficiencia 10 MOSFET IRF640N Bridgold 18A 200V TO-220 Alta Eficiencia 10 MOSFET IRF640N Bridgold 18A 200V TO-220 Alta Eficiencia 10 MOSFET IRF640N Bridgold 18A 200V TO-220 Alta Eficiencia
1 / 6

$42.395

+ impuestos: $8.903

Llega a domicilio entre el 20 y el 25 de feb

Cantidad:
  • Compra protegida
  • Envío a todo el país
  • Garantía de entrega

Características destacadas

  • Clasificación dinámica dv/dt
  • Temperatura de operación de 175 °C
  • Tecnología de proceso avanzada
  • Facilidad de paralelización
  • Requisitos de conducción simples

Opiniones de compradores

4,5

39 opiniones

5
82%
4
9%
3
0%
2
0%
1
9%

Jeffrey J Herdt

El dispositivo estaba bien empaquetado, sin oxidación en las superficies de los terminales soldables. El pinout exacto como el original hizo que fuera mucho más fácil de reemplazar. Compraré otras piezas en el futuro. Entrega rápida, buen servicio.

Shawn Shavor

funcionó como se indicó

Sarg

Buen producto y envío muy rápido.

NTP

Estos estaban destinados a reemplazar los FET IRF640 existentes en un convertidor DC - AC. Los FET originales estaban doblados y las patas se cayeron. La clasificación del IRF640 es de 200V, y en este caso de uso la alimentación es de 160V. Pero los FET de reemplazo todos tenían un voltaje de ruptura medido de 130V, muy por debajo de las especificaciones. Esto resultó en una falla catastrófica de los FET y de los componentes vecinos. Los reemplazos de un proveedor diferente funcionaron bien.

Michael Redding

Funciona como se esperaba. Buena calidad.

Descripción

Los MOSFET de potencia de quinta generación utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia en estado de encendido extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto de los dispositivos por los que son bien conocidos los MOSFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones. Corriente de drenaje continua máxima: 18 A (18 A) Voltaje de drenaje fuente máximo: 200 V (200 V) Resistencia de drenaje fuente máxima: 150 mΩ (150 mΩ) Voltaje de umbral de puerta máxima: 4 V (4 V) Voltaje de puerta fuente máximo: -20 V, +20 V (-20 V, +20 V) Disipación de potencia máxima: 150 W (150 W) Temperatura de operación máxima: +175 °C (+175 °C) Temperatura de operación mínima: -55 °C (-55 °C) Altura: 8.77 mm (8.77 mm) Paquete incluye: 10pcs*IPF640NPBF

Especificaciones técnicas

Fabricante
Bridgold
Dimensiones del paquete
12.7 x 4.32 x 0.51 cm; 22.96 gramos

Preguntas y respuestas

Tu pregunta fue enviada. Te responderemos pronto.

Productos relacionados

Mi carrito

Tu carrito está vacío

Agregá productos para comenzar tu compra.

  • Precio no disponible

Impuestos de importación
Envío a domicilio
Envío a domicilio

Envío
Total

Mis favoritos

No tenés favoritos

Empezá a agregar productos que te gusten.

  • Precio no disponible

    Sin stock

productos en favoritos