5 Transistores MOSFET IRFB4227 Canal N 65A 200V TO-220AB

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Descripción

Este MOSFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una baja resistencia en conducción por área de silicio y una baja calificación EpuLsE. Otras características de este MOSFET son una temperatura de unión de operación de 175C y una alta capacidad de corriente pico repetitiva. Estas características combinadas hacen de este MOSFET un dispositivo altamente eficiente, robusto y confiable para aplicaciones de conducción de PDP. Polaridad del transistor: Canal N RDS (Conducción): 0.014 Ohmios Estilo de instalación: A través del orificio Tensión de ruptura de puerta/fuente: 25 V Paquete incluye: 5Pcs *IRFB4227

Características destacadas

Alta capacidad de corriente pico repetitiva para operación confiable.
Baja calificación EPULSE para reducir la disipación de energía en aplicaciones de sostenimiento de PDP, recuperación de energía y conmutación de paso.
Bajo QG para una respuesta rápida.
Alta velocidad de conmutación.
100% probado en avalancha, modo de mejora.