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IRFP260N MOSFET es un transistor de efecto de campo que se puede utilizar ampliamente en circuitos analógicos y digitales. Especificación: El IRFP260N está disponible en un paquete TO-247AC. Polaridad: N-Canal Resistencia en estado activo Rds(on): 0.04 ohm Voltaje Vgs máximo: +/-20V Número de soldaduras: 3 Temperatura de operación: -55 C a +175 C Resistencia térmica unión a caja A: 2.0 C/W Voltaje Vds Típico: 200V Corriente de drenaje continua (Ids): 50A Corriente Idm pulso: 200A Dispositivo de montaje en superficie: Montaje a través de orificio Paquete incluido: 10pcs IRFP260 IRFP260N IRFP260NPBF MOSFET Transistores
Características destacadas
- IRFP260 IRFP260N MOSFET Transistor son transistores MOSFET de alto rendimiento ampliamente utilizados en diversas aplicaciones, incluyendo fuentes de alimentación, control de motores, amplificadores de audio, etc.
- Tipo de Transistor IRFP260: MOSFET.
- Polaridad del Transistor: N-Canal.
- Corriente nominal IRFP260N: 50A ; Voltaje nominal: 200V ; Potencia: 300W.
- Paquete: 10pcs transistores MOSFET IRFP260 con alta resistencia de entrada, bajo ruido, bajo consumo de energía y un amplio rango dinámico.
Especificaciones técnicas
- Fabricante: Coliao
- País de origen: China
- Peso: 0.2 kg
- Dimensiones: Ancho: 2.54 cm, Alto: 2.54 cm, Profundidad: 0.25 cm