Transistor MOSFET BOJACK IRF510N 5.6A 100V N-Canal Paquete 10
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BOJACK

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Descripción

BOJACK IRF510N MOSFET es un transistor de efecto de campo que se puede utilizar ampliamente en circuitos analógicos y digitales. Parámetros básicos: El IRF510N está disponible en un paquete TO-220AB Resistencia en estado activo Rds(on): 0.54 ohm Voltaje Vgs máximo: +/-20V Número de puntos de soldadura: 3 Temperatura de operación: -55 C a +175 C Resistencia térmica de unión a caja A: 0.29 C/W Voltaje Vds Típico: 100V Corriente Id continua: 5.6A Corriente Idm pulso: 20A Dispositivo de montaje en superficie: Montaje a través de orificio Protección ambiental sin plomo

Características destacadas

  • Tipo de transistor: MOSFET
  • Polaridad del transistor: N-Canal
  • Corriente de drenaje (Id Max): 5.6A
  • Voltaje Vds Max: 100V
  • Potencia(Max): 43W

Especificaciones técnicas

  • Tamaño: 10 Piezas
  • Material: sin plomo
  • Número de parte: BJ-IRF-510
  • Fabricante: BOJACK
  • Número de modelo del artículo: BJ-IRF-510
  • Baterías incluidas: No
  • Baterías requeridas: No
  • Peso: 0.2 kg
  • Dimensiones: Ancho: 5.08 cm, Alto: 5.31 cm, Profundidad: 1.7 cm

Detalles del producto