BOJACK IRFP250 MOSFET es un transistor de efecto de campo que se puede utilizar ampliamente en circuitos analógicos y digitales. Parámetros básicos: Tecnología de Proceso Avanzada Calificación de Corriente: 30A Voltaje Nominal: 200V Calificación dinámica dv/dt El IRFP260N está disponible en un paquete TO-247 Resistencia en estado activo Rds(on): 0.075 ohm Número de puntos de soldadura: 3 Voltaje de Prueba Rds(on) Vgs:10V Voltaje Umbral Vgs:4V Disipación de Potencia Pd:214W Temperatura Mínima de Operación:-55 C Temperatura Máxima de Operación:+175 C Dispositivo de Montaje en Superficie: Montaje a Través del Orificio El paquete incluye 5pcs*IRFP250N Protección ambiental sin plomo

Características destacadas

• Tipo de transistor: MOSFET
• Polaridad del transistor: N-Channel
• Corriente de drenaje (Id Max): 30A
• Voltaje Vds Max: 200V
• Disipación de Potencia (Pd):214W

Especificaciones técnicas

• Tamaño: 5 Piezas
• Material: plomo
• Fabricante: BOJACK
• Número de parte: BJ-IRFP-250N
• Baterías incluidas: No
• Baterías requeridas: No
• Número de modelo del artículo: BJ-IRFP-250N
• Peso: 0.2 kg
• Dimensiones: Ancho: 6.78 cm, Alto: 5.1 cm, Profundidad: 1.5 cm