BOJACK IRFP250 MOSFET es un transistor de efecto de campo que se puede utilizar ampliamente en circuitos analógicos y digitales. Parámetros básicos: Tecnología de Proceso Avanzada Calificación de Corriente: 30A Voltaje Nominal: 200V Calificación dinámica dv/dt El IRFP260N está disponible en un paquete TO-247 Resistencia en estado activo Rds(on): 0.075 ohm Número de puntos de soldadura: 3 Voltaje de Prueba Rds(on) Vgs:10V Voltaje Umbral Vgs:4V Disipación de Potencia Pd:214W Temperatura Mínima de Operación:-55 C Temperatura Máxima de Operación:+175 C Dispositivo de Montaje en Superficie: Montaje a Través del Orificio El paquete incluye 5pcs*IRFP250N Protección ambiental sin plomo
Características destacadas
- Tipo de transistor: MOSFET
- Polaridad del transistor: N-Channel
- Corriente de drenaje (Id Max): 30A
- Voltaje Vds Max: 200V
- Disipación de Potencia (Pd):214W
Especificaciones técnicas
- Tamaño: 5 Piezas
- Material: plomo
- Número de parte: BJ-IRFP-250N
- Fabricante: BOJACK
- Número de modelo del artículo: BJ-IRFP-250N
- Baterías incluidas: No
- Baterías requeridas: No
- Peso: 0.2 kg
- Dimensiones: Ancho: 6.78 cm, Alto: 5.1 cm, Profundidad: 1.5 cm
