Datos relacionados: Número de pines: 3 C-B máxima tensión inversa de soporte VCBO: MJE13009: 700V C-E máxima tensión inversa de soporte VCEO: MJE13009: 400V E-B máxima tensión inversa de soporte VEBO: 9V Corriente máxima promedio del colector IC: 12A Potencia máxima de disipación del colector PC: 100W Temperatura de almacenamiento TSTG: -65~150C Factor de amplificación DC HFE: 6~40 Frecuencia característica fT: 4MHz Paquete incluido: 10*E13009-2

Características destacadas

• Tipo de Transistor: NPN
• Tipo de Paquete: TO-220
• Temperatura de operación: -65~150C
• Características del Transistor: Proporciona Alta Resistencia Dielectrica, Velocidad de Conmutación Rápida y Alta Disipación de Potencia
• Aplicación: ampliamente utilizado en desarrollo de productos, experimentos estudiantiles, mantenimiento, producción, etc.

Especificaciones técnicas

• Fabricante: SIGANDG
• País de origen: China
• Peso: 0.2 kg
• Dimensiones: Ancho: 4.13 cm, Alto: 4.19 cm, Profundidad: 1.7 cm