Transistor MOSFET N-Channel FDB14N30TM 300V 14A 5pcs

Los transistores de efecto de campo de potencia de modo de mejora N-Channel FDB14N30TM se producen utilizando tecnología DMOS. Esta tecnología avanzada ha sido especialmente diseñada para minimizar la resistencia en estado activo, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y soportar pulsos de alta energía en modo de avalancha y conmutación. Estos dispositivos son muy adecuados para fuentes de alimentación conmutadas de alta eficiencia y corrección activa del factor de potencia. Voltaje de ruptura Drenador-Fuente: 300V Corriente continua máxima de diodo Drenador-Fuente: 14A Corriente de pulso máxima de diodo Drenador-Fuente: 56A Paquete que incluye 5pcs* FDB14N30TM

Características destacadas

• 14A, 300V, RDS(on) = 0.29 @VGS = 10 V
• Bajo carga de puerta (típico 18 nC)
• Bajo Crss (típico 17 pF)
• Conmutación rápida
• Mejor capacidad dv/dt

Especificaciones técnicas

• Fabricante: Bridgold
• Peso: 0.2 kg
• Dimensiones: Ancho: 12.7 cm, Alto: 6.9 cm, Profundidad: 0.7 cm