Carrito
No hay más artículos en su carrito
Estos transistores de efecto de campo de potencia de modo de mejora N-Canal se producen con tecnología DMOS de franja plana, patentada. Esta tecnología avanzada ha sido especialmente diseñada para minimizar la resistencia en estado activo, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y soportar pulsos de alta energía en modo de avalancha y conmutación. Estos dispositivos son adecuados para aplicaciones de bajo voltaje como automotriz, convertidores DC/DC y conmutación de alta eficiencia para la gestión de energía en productos portátiles y operados por batería. Corriente de drenaje continua máxima: 50A Voltaje de fuente de drenaje máxima: 60V Resistencia de fuente de drenaje máxima: 21 m Voltaje de umbral de puerta mínima: 1V Voltaje de fuente de puerta máxima: -20 V, +20 V Disipación de potencia máxima: 121 W Temperatura de operación mínima: -55 C Temperatura de operación máxima: +175 C El paquete incluye: 10pcs*FQP50N06
Características destacadas
- 52A, 60V, RDS(on) = 0.022 @VGS = 10 V
- Bajo carga de puerta (típico 31 nC)
- Bajo Crss (típico 65 pF)
- Empaque en bolsa sellada especial, fácil de llevar
- 175C clasificación de temperatura máxima de unión
Especificaciones técnicas
- Fabricante: Bridgold
- Peso: 0.2 kg
- Dimensiones: Ancho: 5.08 cm, Alto: 6.9 cm, Profundidad: 0.71 cm
