Modelo:FQP30N06L
Resistencia en estado de conducción, Rds(on):0.047 ohm
Medición de voltaje Rds:60V
Voltaje Vgs máximo:5V
Número de pines:3
Temperatura de operación:-55 C -- +175 C
Voltaje Vds Típico:60V
Corriente Id continua:30A
Tipo de paquete:TO-220
Dispositivo de montaje en superficie:Montaje a través de orificio
20pcs Transistor MOSFET FQP30N06L

Características destacadas

• Modelo: FQP30N06L; Corriente de drenaje continua Id: 30A; Voltaje de drenaje a fuente Vds: 60V; Polaridad del transistor: N-Channel.
• Material duradero: El transistor está hecho de material semiconductor de óxido metálico, que tiene buena estabilidad térmica y larga vida útil.
• Tecnología de proceso avanzada: El transistor es un tipo de componente electrónico de precisión con alta resistencia de entrada, bajo ruido, bajo consumo de energía y un amplio rango dinámico.
• Aplicación: El tubo MOSFET es un tipo de elemento de control de voltaje. Estos dispositivos son adecuados para fuentes de alimentación conmutadas, amplificadores de audio, control de motores de CC y aplicaciones de conmutación de potencia variable.
• Multifuncional: Rectificador de canal N con múltiples funciones como detección, rectificación, amplificación, conmutación, estabilización de voltaje y modulación de señales, ampliamente utilizado en circuitos integrados a gran escala y muy a gran escala.

Especificaciones técnicas

• Fabricante: SING F LTD
• Peso: 0.2 kg
• Dimensiones: Ancho: 12.8 cm, Alto: 10.4 cm, Profundidad: 1.2 cm